Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Capacitancia de puerta
2500pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.46mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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4
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
4 - 16 | € 2,859 | € 11,44 |
20 - 36 | € 2,573 | € 10,29 |
40 - 96 | € 2,403 | € 9,61 |
100 - 196 | € 2,231 | € 8,93 |
200+ | € 2,088 | € 8,35 |
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InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Capacitancia de puerta
2500pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.46mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.