IGBT, IGW40N60TPXKSA1, N-Canal, 67 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple

Código de producto RS: 133-9877Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IGW40N60TPXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

67 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

246 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Capacitancia de puerta

1400pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

1.67mJ

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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67 A

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Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

246 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Capacitancia de puerta

1400pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

1.67mJ

País de Origen

China

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Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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