Memoria FRAM Infineon FM22L16-55-TG, 44 pines, TSOP, Paralelo, 4Mbit, 256K x 16 bits, 55ns, 2,7 V a 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
256K x 16 bits
Tipo de Interfaz
Parallel
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones del Cuerpo
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
16bit
Número de Palabras
256K
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
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Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
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Dimensiones del Cuerpo
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
16bit
Número de Palabras
256K
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
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F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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