MOSFET Infineon BSZ0909NDXTMA1, VDSS 30 V, ID 20 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

Código de producto RS: 222-4631Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSZ0909NDXTMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

OptiMOSTM3

Tipo de Encapsulado

PQFN 3 x 3

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,018 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Silicon

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MOSFET Infineon BSZ0909NDXTMA1, VDSS 30 V, ID 20 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

5000

Disponible en múltiplos de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
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Tipo de Encapsulado

PQFN 3 x 3

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