MOSFET Infineon BSS223PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Serie
OptiMOS P
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 5000 - 12000 | € 0,083 | € 41,52 |
| 12500+ | € 0,078 | € 39,18 |
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P
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Serie
OptiMOS P
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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