MOSFET Infineon BSS138NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
SIPMOS
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 10 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
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| 1000 - 2000 | € 0,074 | € 36,84 |
| 2500 - 4500 | € 0,069 | € 34,50 |
| 5000 - 12000 | € 0,064 | € 32,16 |
| 12500+ | € 0,06 | € 29,82 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 10 V
Ancho
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Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
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