MOSFET Infineon BSR606NH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2,3 A, SC-59 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SC-59
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,7 nC a 5 V
Ancho
1.6mm
Altura
1.1mm
Serie
BSR606N
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.15V
Estándar de automoción
AEC-Q101
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P.O.A.
3000
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N
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SC-59
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,7 nC a 5 V
Ancho
1.6mm
Altura
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Serie
BSR606N
Temperatura Mínima de Operación
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