Transistor MOSFET Infineon BSP300H6327XUSA1, VDSS 800 V, ID 190 mA, SOT-223 de 3 + Tab pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
190 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Ancho
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.6mm
Serie
SIPMOS
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Longitud
6.5mm
Ancho
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
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Serie
SIPMOS
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Malaysia
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