MOSFET Infineon BSP170PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
SIPMOS®
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Ancho
3.5mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
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| 100 - 200 | € 0,547 | € 27,37 |
| 250 - 450 | € 0,51 | € 25,50 |
| 500 - 1200 | € 0,473 | € 23,64 |
| 1250+ | € 0,444 | € 22,19 |
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-60 V
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Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Ancho
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Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.6mm
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MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
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