MOSFET Infineon BSL207SPH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 6 A, TSOP6 de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 170-2254Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSL207SPH6327XTSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Serie

BSL207SP

Tipo de Encapsulado

TSOP6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

12 V

Ancho

1.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,3 nC a 4,5 V

Altura

0.95mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

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P.O.A.

MOSFET Infineon BSL207SPH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 6 A, TSOP6 de 6 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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P

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6 A

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Serie

BSL207SP

Tipo de Encapsulado

TSOP6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

12 V

Ancho

1.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,3 nC a 4,5 V

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