MOSFET Infineon BSC500N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 24 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
Serie
BSC500N20NS3 G
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€ 0,891
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
6.35mm
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Tensión de diodo directa
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