Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
BSC12DN20NS3 G
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 1,029
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,029 | € 10,29 |
50 - 90 | € 0,978 | € 9,78 |
100 - 240 | € 0,881 | € 8,81 |
250 - 490 | € 0,792 | € 7,92 |
500+ | € 0,753 | € 7,53 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
BSC12DN20NS3 G
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V