MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1952Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC12DN20NS3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

6.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Serie

BSC12DN20NS3 G

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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250 - 490€ 0,792€ 7,92
500+€ 0,753€ 7,53

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4V

Tensión de umbral de puerta mínima

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