MOSFET Infineon BSC0911NDATMA1, VDSS 25 V, ID 40 A, TISON de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
TISON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V, 7,7 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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5
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V, 7,7 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
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MOSFET Transistors, Infineon
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