Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 4,5 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Serie
BSC050N03LS G
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P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 4,5 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Serie
BSC050N03LS G