Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Altura
1.1mm
Serie
BSC040N10NS5
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
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€ 2,183
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 10 | € 2,183 | € 21,83 |
20 - 40 | € 1,834 | € 18,34 |
50 - 90 | € 1,703 | € 17,03 |
100 - 240 | € 1,594 | € 15,94 |
250+ | € 1,463 | € 14,63 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Altura
1.1mm
Serie
BSC040N10NS5
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V