MOSFET Infineon BSC039N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Conteo de Pines
8
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.2V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Altura
1.1mm
Dimensiones del Cuerpo
59 x 92 x 18mm
Longitud
6.1mm
Profundidad
5.35mm
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,9 mΩ
Brand
InfineonTipo de Encapsulado
TDSON
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
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€ 0,717
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
5000
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Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Conteo de Pines
8
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.2V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Altura
1.1mm
Dimensiones del Cuerpo
59 x 92 x 18mm
Longitud
6.1mm
Profundidad
5.35mm
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,9 mΩ
Brand
InfineonTipo de Encapsulado
TDSON
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V