MOSFET Infineon BSC032NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 84 A, TDSON de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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