MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-7488Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC030P03NS3GAUMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Profundidad

5.35mm

Serie

OptiMOS P

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.1mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 1,096

Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)

MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

5000

Disponible en múltiplos de 5000
5000€ 5.479,11
10000€ 10.958,22
15000€ 16.437,32
20000€ 21.916,43
25000€ 27.395,54
30000€ 32.874,64
35000€ 38.353,75
40000€ 43.832,86
45000€ 49.311,97
50000€ 54.791,08
55000€ 60.270,18
60000€ 65.749,29
65000€ 71.228,40
70000€ 76.707,50
75000€ 82.186,61

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40000€ 43.832,86
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P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

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30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Profundidad

5.35mm

Serie

OptiMOS P

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.1mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

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