MOSFET Tetrode Infineon BF999E6327HTSA1, VDSS 30 V, ID 1,4 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.9mm
Ganancia de Potencia Típica
27 dB
Datos del producto
Tetrodo MOSFET de doble enlace Infineon
Tetrodo de transistores RF MOSFET de doble enlace y bajo ruido de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.9mm
Ganancia de Potencia Típica
27 dB
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Tetrodo de transistores RF MOSFET de doble enlace y bajo ruido de Infineon
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