Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
1.5 x 4.5 x 2.5mm
Datos del producto
Transistores NPN de uso general, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
1.5 x 4.5 x 2.5mm
Datos del producto