Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
32 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
32 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.9mm
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P.O.A.
1000
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1000
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InfineonTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
32 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
32 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.9mm