Transistor Darlington, BCV49H6327XTSA1, NPN 500 mA, 60 V, HFE:2000, SOT-89, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Altura
1.5mm
Ancho
2.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Dimensiones del Cuerpo
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.5mm
Corriente de base
100mA
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
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1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Altura
1.5mm
Ancho
2.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Dimensiones del Cuerpo
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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