Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
0.9mm
Profundidad
1.3mm
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Datos del producto
Transistores Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
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50
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Brand
InfineonTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
0.9mm
Profundidad
1.3mm
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Datos del producto