Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
4000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.5mm
Altura
1.5mm
Ancho
2.5mm
Dimensiones
4.5 x 2.5 x 1.5mm
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P.O.A.
25
P.O.A.
25
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Brand
InfineonTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
4000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.5mm
Altura
1.5mm
Ancho
2.5mm
Dimensiones
4.5 x 2.5 x 1.5mm