Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de señal pequeña, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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P.O.A.
3000
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3000
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Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto