Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.9mm
Datos del producto
Transistores dobles NPN/PNP, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Estándar
200
P.O.A.
Estándar
200
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.9mm
Datos del producto