Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN + PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
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P.O.A.
Estándar
100
P.O.A.
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100
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InfineonTipo de Transistor
NPN + PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm