Diodo, BAS116E6327HTSA1, Nivel de fugas bajo, 250mA, 80V Conexión de silicio, 1.5μs, SOT-23, 3-Pines 1.25V

Código de producto RS: 826-9913Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BAS116E6327HTSA1
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Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Corriente Continua Máxima Directa

250mA

Tensión Repetitiva Inversa de Pico

80V

Configuración de diodo

Single

Tipo de Rectificador

Nivel de fugas bajo

Conteo de Pines

3

Caída de tensión directa máxima

1.25V

Número de Elementos por Chip

1

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Tiempo de Recuperación Inverso de Pico

1.5µs

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

4.5A

Datos del producto

Diodos de conmutación de señal pequeña, Infineon

Diodos de conmutación de señal pequeña de alta velocidad de Infineon con corrientes nominales de hasta 1 A y tensión inversa nominal de hasta 400 V. Muchos de estos dispositivos están disponibles en configuraciones dobles, triples y cuádruples.

Diodes and Rectifiers, Infineon

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1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
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13000P.O.A.
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80V

Configuración de diodo

Single

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Nivel de fugas bajo

Conteo de Pines

3

Caída de tensión directa máxima

1.25V

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1

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