Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
2 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Estándar de automoción
AEC-Q101
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
4.83mm
Serie
AUIRFZ24N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
2 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Estándar de automoción
AEC-Q101
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
4.83mm
Serie
AUIRFZ24N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C