MOSFET Infineon AUIRFU8401, VDSS 40 V, ID 100 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 787-1036PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: AUIRFU8401
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

79000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

42 nC @ 10 V

Profundidad

2.39mm

Material del transistor

Si

Series

COOLiRFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

6.22mm

Datos del producto

MOSFET de potencia COOLiRFET™, Infineon

Los MOSFET de potencia COOLiRFET™ cualificados para automoción de Infineon, logran una resistencia en funcionamiento (RDS(on)) muy baja, una pérdida de conducción muy baja, por lo que ofrecen velocidades de conmutación de señales de corriente alta muy eficaces. Proporcionan una mayor eficacia, densidad de potencia y fiabilidad en entornos con señales hostiles con un sólido rendimiento de avalanchas, pérdida de conducción baja, velocidades de conmutación rápidas y temperatura de conexión máxima 175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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Tipo de Montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

79000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

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42 nC @ 10 V

Profundidad

2.39mm

Material del transistor

Si

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COOLiRFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

6.22mm

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MOSFET de potencia COOLiRFET™, Infineon

Los MOSFET de potencia COOLiRFET™ cualificados para automoción de Infineon, logran una resistencia en funcionamiento (RDS(on)) muy baja, una pérdida de conducción muy baja, por lo que ofrecen velocidades de conmutación de señales de corriente alta muy eficaces. Proporcionan una mayor eficacia, densidad de potencia y fiabilidad en entornos con señales hostiles con un sólido rendimiento de avalanchas, pérdida de conducción baja, velocidades de conmutación rápidas y temperatura de conexión máxima 175 °C.

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