MOSFET Infineon AUIRFS6535, VDSS 300 V, ID 19 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,185 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
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P.O.A.
50
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