Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.295 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
€ 121,87
€ 2,437 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 121,87
€ 2,437 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 120 | € 2,437 | € 12,19 |
125 - 245 | € 2,299 | € 11,50 |
250 - 495 | € 2,133 | € 10,66 |
500+ | € 1,967 | € 9,83 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.295 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon