MOSFET Infineon AUIRFP4409, VDSS 300 V, ID 38 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
37,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
69 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
341 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
21.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
83 nC a 10 V
Profundidad
5.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
16.13mm
Serie
HEXFET
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
341 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud:
21.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
83 nC a 10 V
Profundidad
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
16.13mm
Serie
HEXFET
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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