Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
750 V
Series
AIM
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
Malaysia
Información de stock no disponible temporalmente.
$ 8,16
$ 8,16 Each (Sin IVA)
MOSFET Infineon AIMBG75R090M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 24 A, PG-TO263-7 de 7 pines
1
$ 8,16
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MOSFET Infineon AIMBG75R090M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 24 A, PG-TO263-7 de 7 pines
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1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 8,16 |
10 - 99 | $ 7,34 |
100 - 499 | $ 6,78 |
500 - 999 | $ 6,29 |
1000+ | $ 5,63 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
750 V
Series
AIM
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
Malaysia