Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Fuji ElectricCorriente Máxima Continua del Colector
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
1.04 kW
Tipo de Encapsulado
M249
Configuration
Series
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiones
108 x 62 x 30mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Discretos IGBT, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Fuji ElectricCorriente Máxima Continua del Colector
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
1.04 kW
Tipo de Encapsulado
M249
Configuration
Series
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiones
108 x 62 x 30mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Discretos IGBT, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.