Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
2.6mm
Material del transistor
Si
Longitud
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,863
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,863 | € 8,63 |
50 - 240 | € 0,771 | € 7,71 |
250 - 490 | € 0,753 | € 7,53 |
500+ | € 0,733 | € 7,33 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
2.6mm
Material del transistor
Si
Longitud
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.6mm
Datos del producto