MOSFET DiodesZetex ZVP2106A, VDSS 60 V, ID 280 mA, Línea E de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 6,61
€ 0,661 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 6,61
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Información de stock no disponible temporalmente.
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10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 30 | € 0,661 | € 6,61 |
| 40 - 190 | € 0,597 | € 5,97 |
| 200 - 990 | € 0,53 | € 5,30 |
| 1000 - 1990 | € 0,462 | € 4,62 |
| 2000+ | € 0,397 | € 3,97 |
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Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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