Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
50
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
4.77 x 2.41 x 4.01mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+200 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores de alta tensión, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Price on asking
Cada Uno (En una Bolsa de 2000) (Sin IVA)
2000
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DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
50
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
4.77 x 2.41 x 4.01mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+200 °C
País de Origen
China
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