Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.95mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30,6 a 10 V nC
Altura
1.05mm
Serie
DMP
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 1,084
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.95mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30,6 a 10 V nC
Altura
1.05mm
Serie
DMP
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto