Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
DMP
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
3.95mm
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30,6 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.05mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1.385,03
€ 0,554 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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2500
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DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
DMP
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
3.95mm
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30,6 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.05mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto