Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
6mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
DMP
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,754
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,754 | € 7,54 |
100 - 490 | € 0,455 | € 4,55 |
500 - 990 | € 0,41 | € 4,10 |
1000 - 1990 | € 0,363 | € 3,62 |
2000+ | € 0,353 | € 3,53 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
6mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
DMP
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto