MOSFET DiodesZetex DMP2008UFG-7, VDSS 20 V, ID 11 A, PowerDI3333-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 4,5 V
Ancho
3.35mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.85mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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| 1000+ | € 0,249 | € 6,23 |
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Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 4,5 V
Ancho
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