Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,1 a 10 V nC
Ancho
3.95mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.5mm
Serie
DMN
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,1 a 10 V nC
Ancho
3.95mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.5mm
Serie
DMN
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto