Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud:
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,1 a 10 V nC
Ancho
3.95mm
Número de Elementos por Chip
1
Serie
DMN
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.5mm
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
Estándar
10
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10
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Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud:
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,1 a 10 V nC
Ancho
3.95mm
Número de Elementos por Chip
1
Serie
DMN
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.5mm
Datos del producto