Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Serie
DMN
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.66mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Ancho
9.01mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
4.82mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 2,772
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 10 | € 2,772 | € 13,86 |
15 - 25 | € 2,157 | € 10,78 |
30+ | € 2,049 | € 10,24 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Serie
DMN
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.66mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Ancho
9.01mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
4.82mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto