MOSFET DiodesZetex DMN90H2D2HCTI, VDSS 900 V, ID 6 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
16.27mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.46mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,3 nC a 10 V
Altura
4.9mm
Serie
DMN90H2D2HCTI
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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N
Maximum Continuous Drain Current
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900 V
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TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
16.27mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.46mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,3 nC a 10 V
Altura
4.9mm
Serie
DMN90H2D2HCTI
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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