MOSFET DiodesZetex DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 822-2602PMarca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMN65D8LDW-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

20V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,87 nC a 10 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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MOSFET DiodesZetex DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
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Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100€ 3,98
200€ 7,95
300€ 11,93
400€ 15,91
500€ 19,88
600€ 23,86
700€ 27,83
800€ 31,81
900€ 35,79
1000€ 39,76
1100€ 43,74
1200€ 47,72
1300€ 51,69
1400€ 55,67
1500€ 59,64

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6

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8 Ω

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

20V

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400 mW

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