MOSFET DiodesZetex DMJ70H900HJ3, VDSS 700 V, ID 7 A, TO-251 de 3+Tab pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Tipo de Encapsulado
TO-251
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3+Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
68 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
2.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,4 nC a 10 V
Altura
7.17mm
Serie
DMJ70H900HJ3
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Tipo de Encapsulado
TO-251
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3+Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
68 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
2.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,4 nC a 10 V
Altura
7.17mm
Serie
DMJ70H900HJ3
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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