Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
134 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,18
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
100
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100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,18 | € 18,01 |
600 - 1400 | € 0,15 | € 14,97 |
1500+ | € 0,119 | € 11,93 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
134 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto