MOSFET DiodesZetex DMG2302UK-7, VDSS 20 V, ID 2,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Serie
DMG2302UK
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,8 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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| 1000 - 1900 | € 0,113 | € 11,34 |
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| 3000+ | € 0,092 | € 9,24 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Serie
DMG2302UK
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,8 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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